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电子元器件详细资料 » IC[27546] » SI7137DP-T1-GE3
型号:SI7137DP-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8描述:MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C60A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.95 毫欧 @ 25A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2221.4V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs585nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds20000pF @ 10V
功率_最大104W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商设备封装PowerPAK? SO-8
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市展鹏富裕科技有限公司陈丹0755-82573702
深圳市品惠科技有限公司李先生0755-23996734
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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SI7137DP-T1-GE3相关型号

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